Neue GaN-FET Netzteile ermöglichen bahnbrechende Größen- und Gewichtsreduktion
Bis zu 2,5x kleinere Gehäuse und über ein Drittel Gewichtsersparnis dank GaN-FET-Technologie!
Die brandneuen Desktop-Adapter von Adaptertech mit Galliumnitrid (GaN) FETs sind den herkömmlichen Vorgängergeräten mit MOS FETs weit überlegen: deutlich höhere Leistungsdichte und somit bei gleicher Leistung kompaktere Abmessungen und geringeres Gewicht. Pünktlich zur weltgrößten Medizintechnik Fachmesse MEDICA/COMPAMED hatte Adaptertech seine neue Serie von Desktop-Netzteilen in GaN-FET-Technologie vorgestellt.
Sechs Modelle von 90W bis 300W sind geplant – das 160W sowie das 200W Gerät sind bereits voll zertifiziert und in Massenproduktion, die anderen vier (90W, 120W, 250W und 300W) sollen sukzessive bis März 2020 folgen.
Die offensichtlichsten Vorteile der neuen GaN-FET-Technologie sind die um Faktor 2 bis 2,5 höhere Leistungsdichte sowie eine etwas geringere Verlustleistung verglichen mit den bisherigen MOS-FET-Netzteilen.
Hier einmal die nackten Zahlen am Beispiel der 200W und 300W Modelle im Vergleich:
Model
200W GaN FET
200W MOS FET
300W GaN FET
300W MOS FET
Dimensions (Power Density)
161x54x33 mm (12,5 W/cui)
183x81x42 mm (5,3 W/cui)
183x85x35 mm (9,0 W/cui)
254x116x47 mm (3,6 W/cui)
Weight
560 g
850 g
1000 g
1600 g
Efficiency
90~95% typ.
88~94% typ.
90~95% typ.
87~94% typ.
Des Weiteren werden die drei Top-Modelle dieser neuen GaN Serie für Dual-Approval (EN62368-1 und EN60601-1) ausgelegt, sodass bei der Kaufentscheidung eine Festlegung auf entweder das ITE- oder das Medizin-Modell entfallen kann.
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